当两层不同的晶体半导体以交替或不同的带隙连接或分层时,就形成了异质结。异质结主要用于固态电气设备,也可以在两种性质不同的半导体之间形成异质结,例如一个是晶体,而另一个是金属的。当一个电子器件或器件应用的功能依赖于一个以上的异质结时,这些异质结被形成一个称为异质结的东西。这些异质结构被用来增加由不同的电性器件产生的能量,例如太阳能电池和激光器。
异质结对激光切割机至关重要异质结。当半导体之间的这些界面形成时,它们会形成所谓的跨接间隙、交错间隙或断裂间隙。这些不同类型的异质结取决于由特定半导体材料产生的能隙一种材料所能产生的能量与异质结产生的能隙大小直接相关。能隙的类型也很重要。这种能隙是由价带之间的差异构成的,它由一个半导体产生,而导带则由另一个半导体产生自从异质结科学成为整个行业的标准之后,异质结在每一个制造的激光器中都是标准的。异质结允许生产在正常室温下工作的激光器。这门科学于1963年由赫伯特·克罗默首次引入,尽管直到多年后,当实际材料科学赶上了原理技术时,异质结才成为激光制造业的标准科学。今天,异质结是每一个激光器的重要组成部分,从切割开始数控机床中的激光器到读取DVD电影和光盘的激光器。异质结也用于工作频率极高的高速电子设备中。例如,高电子迁移率晶体管,它的大部分功能都在500GHz以上今天许多异质结的制造都是通过一种被称为化学气相沉积(CVD)或化学气相沉积(chemical vapor deposition)的精密工艺来完成的。MBE是分子束外延的另一种工艺。这两种工艺在尽管硅制造在其他应用中仍然广泛流行,但与半导体器件的硅制造工艺相比,这种工艺的成本非常高。

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