什么是磁电阻(Magnetoresistance)？

磁电阻的特性是通过引入外部磁场来改变通过物体的电流路径的能力。各向异性磁电阻（AMR）的水平，或由于磁铁的存在而使粒子向另一方向弯曲的速率，随被测材料的相对电导率而变化。这种应用允许电流通过物体的较大表面积，从而在分子水平上增加其整体电阻。通过使用不同的元素作为变量，可以应用一个公式来计算真正的磁电阻效应，这使得许多行业能够确定哪种类型的材料最适合他们的产品。计算机硬盘通常使用磁电阻技术。自从1856年爱尔兰发明家凯尔文勋爵（Lord Kelvin）发现计算机硬盘以来，这一领域已经取得了许多突破性进展，这一原理现在常被称为普通磁电阻（OMR）。巨磁电阻（CMR）是下一个要采用的分类，它被用来描述像钙钛矿氧化物这样的金属能够将电阻改变到比以前想象的更高的水平在1988年，阿尔伯特·费特和彼得·格伦伯格都独立地发现了巨磁电阻（GMR）的实现方法，它由铁磁性和非磁性元素的纸薄金属层堆叠而成，以增加或减少内部的整体电阻隧穿磁电阻（TMR）使电子垂直旋转，能够跨越非磁性绝缘体，使这个概念更进一步绝缘体通常由结晶氧化镁组成，直到最近，它被认为违反了经典物理的自然规律。这种量子力学现象使得一些行业能够实现原本不可能实现的TMR技术。也许最常见的磁电阻例子是在计算机系统中实现硬盘驱动器。这项技术使设备得以实现由于集成的微型加热线圈允许在硬盘运行时进行更高的控制，因此可以大容量地读取和写入数据。这将导致更大的总存储容量，同时减少数据丢失的频率。它还用于为第一代非卷式存储器赋能，即使没有电源也能保存数据。